堆叠晶片电容器

2024年11月15日 · 在半导体器件制造技术领域,堆叠电容器正变得越来越重要。它们广泛应用于确保手机、笔记本电脑以及各种智能设备的高效能。这一新专利的核心在于其创造性地通过结构布局和材料选择,减小了电容器的体积,却仍保持了优良的电性能,极大地适应了现代

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2021年6月18日 · Vishay 堆叠式聚合物钽电容器是一种可表面安装的解决方案,可为空间受限的应用提供最高大的电容和电压。许多设计需要使用高电容值来存储高能量。这通常是通过并联使用许多电容器来实现的。

2022年1月14日 · 为此,本技术提出一种堆叠式电容器、半导体存储器件及制备方法,减少了电容器介电层的残余应力,解决了电容器漏电的问题。

2022年6月18日 · 使用晶圆上堆叠晶圆(WoW)技术将突破性智能处理单元堆叠于深沟槽电容器晶片之上。由于CoW和WoW的N7晶片已经投入生产,对N5的技术支持,预计将于2023年进行。

3 天之前 · Vincent 表示："电容器需要缩短——它们不能像现在那么长——并堆叠起来以优化单位面积的位数。每位面积和电容器长度之间的适当平衡需要通过

KYOCERA AVX 堆叠陶瓷电容器配有用于通孔或表面安装组件的引线框架。引线框架可缓解大型陶瓷芯片 (10 ppm/°C) 和 PC 板之间膨胀系数差异的应力,并提供水平和垂直堆叠配置。

2010年11月10日 · 本文介绍一个基于直接边界元素法的精确度高,速度快,并可适应复杂堆叠 (stacked)电容器结构的互连寄生电容模拟软件,并通过实例计算,分析DRAM中互连线寄生电容对电路性能的影响.

2024年11月21日 · KYOCERA AVX 提供各种堆叠式和引线式的高压多层陶瓷电容器。 KYOCERA AVX 的高压堆叠式引线电容器采用 DIP 或径向引线配置,具有单芯片或堆叠多芯片样式。

2022年10月14日 · HfO 2 /Al 2的性质研究了作为片上MIS电容器的基于O 3的堆叠电介质。在厚度比为 1:1 的叠层（HfO 2 /Al 2 O 3 ）上研究了电容密度、C-V、J-V、阻抗特性、等效介电常数、击穿电压和漏电流。

2021年12月7日 · 简而言之,这种堆叠式电容器是通过在主动(active)区和场区氧化(field oxide)区以及扩散区域上形成覆盖在栅电极上的堆叠式电容器结构而形成的。这样的结构的加工已经变得非常复杂,并且需要微影和刻蚀工艺,而在当前和将来的现有技术中,微影刻蚀步骤并不

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