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硅光电池的伏安曲线

由图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成： 1. 反偏工作状态,光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）； 2. 无偏工作状态,光电二极管的光电流随负载电阻变化很大。 偏区工作时,只有当 RL 较小时,电流比较稳定,而当 RL 较大时,电流与电压呈非线性关系。 上的截距即为开路电压Voc。 硅光电池特性的研究实验报告-定照度下,光电池被短路（负载电

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硅光电池特性的研究实验报告

由图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成： 1. 反偏工作状态,光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）； 2. 无偏工作状态,光电二极管的光电流随负载电阻变化很大。 偏区工作时,只有当 RL 较小时,电流比较稳定,而当 RL 较大时,电流与电压呈非线性关系。 上的截距即为开路电压Voc。 硅光电池特性的研究实验报告-定照度下,光电池被短路（负载电

硅光电池伏安特性

2018年1月24日 · 电子发烧友为您提供的硅光电池的伏安特性曲线,本文主要介绍了硅光电池伏安特性。 开路电压与光照度之间为对数关系,因而具有饱和性。 因此,把硅光电池作为敏感元件时,应该把它当作电流源的形式使用,即利用短路电流与光照度成线性的特点,这是硅

硅光电池伏安特性

硅光电池是一个大面积的光电二极管,它被设计用于把入射到它表面的光能转化为电能,因此,可用作光电探测器 和光电池,被广泛用于太空和野外便携式仪器等的能源。

上海交通大学物理实验报告（大二上）硅光电池特性的研究.docx

2018年7月6日 · 由图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成：反偏工作状态,光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）；无偏工作状态,光电二极管的光电流随负载电阻变化很大。

硅光电池特性的研究

2005年7月23日 · 硅光电池是属于一种有PN 结的单结光电池．它由半导体硅中渗入一定的微量杂质而 制成．当光照射在PN 结上时,由光子所产生的电子与空穴将分别向P 区和N 区集结,使

硅光电池特性研究

2022年6月12日 · 硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成： 1）无偏压工作状态,光电流随负载变化很大。 2）反偏压工作状态,光电流与偏压、负载几乎无关（很大的动态范围内）。

硅光电池实验报告

2022年5月20日 · 硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成: 无偏压工作状态,光电流随负载变化很大； 反偏压工作状态,光电流与偏压、负载几乎无关 (很大动态范围内)。

实验S-3-5 硅光电池特性的研究与应用

2018年5月23日 · 硅光电池的光谱响应范围是400～1100nm,在使用时必须注意与入射光的波长相匹配, 以获得较高的光电子输出效率。 实验中经常通过测试硅光电池的相对灵敏度表征其光谱响应特性。

实验 13 硅光电池的特性及其应用

2013年6月30日 · 用它制成的元器件称之为硅光电池。光伏效应最高重大的应用 是可以将阳光直接转换成电能,是当今世界众多国家努力研 究和开拓应用的课题*。 从光伏效应的机理可知（见附录）,硅光电池输出的 电流IL 是光生电流IP 和在

硅光电池特性的研究

1．研究硅光电池的照度（光强）特性,用特性曲线表示结果． （1）测量硅光电池的短路电流与照度间的关系； 由于硅光电池的短路电流随照度的变化太大从而给测量带来了困难,本实验采用测量 取样电阻（100 Ω）上的电压来代替此时的短路电流． （2）测量

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