支柱电容器

2022年2月9日 · 1.本实用新型涉及电容器技术领域,特别涉及一种支柱式电容器装置。背景技术： 2.研制的户内特高压直流高频滤波电容器装置。户内空间有限,电容器装置塔架对周围安全方位净距要求较严格,为防止电容器装置表面产生电晕对周围设备或建筑放电,进而

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2024年10月30日 · 摘要：本实用新型公开了一种支柱式电容器,属于电容器技术领域,电容器包括支柱式金属引线和电容器芯片,其中支柱式金属引线穿过电容器芯片,并暴露两端,其中电容器芯片使用了电常数为X7R的材料,该电容器实现了将电路中的杂波旁路、耦合的技术

2022年5月2日 · 单相支柱式结构,可以直接代替支柱绝缘子；电压型取电,没有起始工作电流限制,电压输出稳定；完善的保护设计,二次侧无论开路或短路工作,对取电装置及线路没有影响；

摘要：本发明公开了一种基于硅衬底支柱结构提高电容量的深沟槽电容及其制备方法,涉及半导体技术领域,在所述衬底结构中心区域形成有多个支柱结构,所述支柱结构之间、支柱结构与衬底侧壁之间外表面之间形成深沟槽。

一种支柱式电容器装置.pdf 2023-12-10 上传暂无简介文档格式：.pdf 文档大小： 334.76K 文档页数： 7 页顶 /踩数： 0 / 0 收藏人数： 0 评论次数： 0 文档热度：文档分类：行业资料

2021年9月14日 · 本实用新型公开了一种支柱式电容器装置,包括均压球,所述均压球的底部固定连接有均压环,所述均压环底部的边缘处固定连接有数量为四个的支撑柱,所述支撑柱的底端固定连接有支撑座,所述支撑座顶部的中心处固定连接有高压端子,所述支撑座底部的中间处固定

本发明公开了一种基于硅衬底支柱结构提高电容量的深沟槽电容及其制备方法,涉及半导体技术领域,在所述衬底结构中心区域形成有多个支柱结构,所述支柱结构之间,支柱结构与衬底侧壁之间外表面之间形成深沟槽.本发明在现有硅基衬底上形成多个支柱型结构,支柱

2022年2月9日 · 本实用新型公开了一种支柱式电容器装置,包括均压球,所述均压球的底部固定连接有均压环,所述均压环底部的边缘处固定连接有数量为四个的支撑柱,所述支撑柱的底端固定连接有支撑座,所述支撑座顶部的中心处固定连接有高压端子,所述支撑座

2020年9月18日 · 本实用新型涉及一种支柱式电容器装置,属于电容器技术领域。本支柱式电容器装置,包括多个电容器单元,多个所述电容器单元依次由上至下竖直层叠形成电容器组,多个所述电容器组形成多柱式电容器塔,所述电容器塔的顶部固定设置有钢支架,所

2021年4月23日 · 1.本实用新型属于电容器技术领域,具体涉及一种支柱式电容器装置。背景技术： 2.我国的主要水力资源集中在西部地区,主要煤炭、风力和太阳能资源集中在西北地区,主要负荷中心却集中在沿海发达地区,因此我国需要解决长距离大容量输电、提高

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